立方织构含量超99%
通过优化应变和退火工艺，该合金基带实现了几乎完全的立方织构，为高质量超导薄膜的外延生长提供了理想模板。
王旭峰 · 索红莉 · Ji, Yaotang · 张子立 · Lanjin, Wang · 王蕾 · 刘建华 · 王秋良
Materials 2024
应变5.1时再结晶立方晶核由小等轴晶形成，形核率高于低应变状态的层状结构形核。
高应变下再结晶立方晶粒在后期通过吞并随机取向晶粒而快速长大，生长速度超过低应变状态。
在1150 °C退火后，所有应变水平均获得超过99%的立方织构（<10°），满足苛刻外延要求。
高应变5.1下再结晶立方晶粒形核和生长速率均更高，可在更宽温度范围内获得高立方织构。