AlScN/AlN/AlScN铁电堆栈

极化与矫顽场解耦

通过AlN中间层提高矫顽场，同时保持高极化，有望突破铁电存储器的记忆窗口与保持特性限制。

Kim, Kyung-do · Ryoo, Seung-kyu · Min Kyu, Yeom · Lee, Suk-hyun · Choi, Wonho · Lee, Seung-cheol · Xin, Tianjiao · 成岩 · Hwang, Cheolseong

Nature Communications 2025

参数信息

最大记忆窗口

15 V

技术优势

记忆窗口变大

AlN层介电常数较低，使堆栈的矫顽场增大，从而拓宽记忆窗口。

保持特性改善

提高堆栈中AlN比例显著增强铁电薄膜晶体管的保持性能。

实现多级存储

基于15 V的最大记忆窗口，成功演示五级单元，可提升存储密度。

应用场景

• 铁电存储器：直接作为铁电晶体管栅极叠层，提升记忆窗口和保持特性。
• 高密度存储：五级单元使单位面积存储更多状态，提高存储密度。