单壁碳纳米管封装SnS2纳米带

高可逆储锂

将SnS2纳米带封装在单壁碳纳米管空腔内,解决其低导电性、体积膨胀和界面不稳定问题。

耿林 · Lin-Lin, Wang · 田丹 · 徐利春 · 赵建文 · 杨永 · 康黎星

Nano Letters 2024

技术优势

可逆性优异

锂化后完全转变为Li5Sn2合金相,脱锂后恢复为SnS2,晶体结构经球差电镜确认。

边缘效应增强储锂

理论计算表明边缘位点对锂的结合更强、迁移势垒更低,有利于提高储锂容量和倍率性能。

缓解体积膨胀

碳纳米管空腔的限域作用可容纳SnS2在充放电过程中的体积变化,维持电极结构稳定。

应用场景