单晶碳化硅抛光工艺

粗糙度降至0.30 nm

用剪切流变抛光替代传统抛光，在单晶碳化硅上同时实现高效率、高质量和低损伤。

陈泓谕 · Zhengchao, Wu · Binbin, Hong · 杭偉 · Peng, Zhang · Cao, Xiongzhong · Xu, Qiu · 陈鹏起 · 陈恒 · 袁巨龙 · Lyu, Binghai · Lin, Huatay

Journal of Manufacturing Processes 2024

参数信息

表面粗糙度

0.30 nm Ra

材料去除率

12.12 μm/h

技术优势

粗糙度降至亚纳米

抛光15 min后Ra从13.50 nm降至0.30 nm，表面质量显著提升。

去除率高

在7°倾角下获得12.12 μm/h的去除率，兼顾效率与质量。

亚表面损伤少

TEM和正电子湮灭结果表明，亚表面损伤被有效去除。

应用场景

• 半导体衬底加工：提供高质量SiC晶圆表面，满足外延和器件制造要求。
• 功率器件制造：获得低损伤表面，减少漏电，提升器件性能和可靠性。
• 超精密加工：实现亚纳米粗糙度，适用于超精密表面加工需求。