Fe掺杂RuO₂复合阳极

As(III)氧化率98.5%

Fe掺杂RuO₂层将析氧电位提升至3.12 V，通过活性氧物种介导实现高效As(III)间接氧化，显著增强电极稳定性。

Xinyu, Miao · Jiao, Shen · Ji, Wenlan · Tian C., Zhang · 梁英 · 袁绍军

Journal of Materials Science and Technology 2024

具体参数

析氧电位

{'zh': '3.12', 'en': '3.12'} V

As(III)氧化率

{'zh': '98.5', 'en': '98.5'} %

电化学活性面积

{'zh': '31.7', 'en': '31.7'} mF/cm²

技术优势

电位窗口更宽

Fe掺杂使析氧电位升至3.12 V，电极在高电位下依然稳定运行，抑制析氧竞争反应。

氧化效率高

通过活性氧物种介导的间接氧化路径，As(III)氧化率达到98.5%。

活性面积大

TiO₂纳米管阵列与SnO₂/PEDOT中间层提供了高电化学活性面积，达到31.7 mF/cm²。

应用场景

• 电催化氧化：高析氧电位下稳定工作，将As(III)间接氧化为As(V)。
• 砷污染水处理：用于地下水除砷，实现98.5%的As(III)氧化去除。