拓扑硅烯场效应晶体管

关态泄漏可抑制

揭示了纳米尺度硅烯场效应晶体管中通态电流的传输路径与关态泄漏的机制，并提出静电调控抑制泄漏的方案。

郑军 · Ma, Li · 李春磊 · 袁瑞瑒 · 迟锋 · 过勇

Physical Review Applied 2023

参数信息

临界电场与自旋轨道耦合强度之比
2
散射区长度满足条件
3n+1

技术优势

泄漏根源已明确

泄漏电流来自态间量子隧穿，无序（无论强弱）会促进而非抑制泄漏

静电调控可抑制泄漏

当垂直电场超过临界值 λE>2λSO 时，增大交错势可有效降低隧穿概率

传输路径可电场切换

弱电场能显著增强扶手椅边缘态间的波函数重叠，用于切换电子传输路径

应用场景