4H-SiC晶圆等离子抛光

无损伤镜面减薄

一种基于电解等离子体的4H-SiC抛光技术，通过等离子体驱动化学刻蚀实现晶圆快速减薄并获得镜面无损表面。

赵永华

Journal of Materials Processing Technology 2026

参数信息

最大刻蚀速率

~3 μm/min

Sa

< 12 nm

英寸晶圆总厚度变化

~2 μm

抛光表面

~20 nm