In₂O₃@ZnO同轴纳米线

迁移率202.3 cm² V⁻¹ s⁻¹

利用环形异质界面实现强载流子注入效率，使基于高k介质的场效应晶体管迁移率达到202.3 cm² V⁻¹ s⁻¹，超过现有氧化物基FET器件。

He, Bo · 何刚 · Fu, Can · Jiang, Shanshan · Fortunato, Elvira · Martins, Rodrigo Ferrão P.Paiva · Wang, Shouguo

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

场效应迁移率

{'zh': '202.3', 'en': '202.3'} cm² V⁻¹ s⁻¹

技术优势

光电耦合优异

同轴结构赋予器件卓越的光电耦合能力，可用于构建光电探测器和人工光子突触器件，实现信息处理与识别功能。

工艺简单经济

采用电纺技术制备高度有序的同轴纳米线阵列，方法简单、成本低，适合大规模生产。

应用场景

• 神经形态计算：利用人工光子突触实现信息处理和识别，用于神经形态计算。
• 光电探测器：利用其光电耦合能力构建高灵敏度光电探测器。
• 人工突触器件：基于同轴纳米线FET构建人工光子突触器件，模拟突触功能。
• 人工智能硬件：为人工智能应用提供新型光电突触硬件。