电荷分离近100%
通过引入铋空位构造晶格应变,促进体相电荷分离并显著提升光电化学水氧化性能。
Liu, Boyan · 王鑫 · Zhang, Yingjuan · Kang, Wan · Xu, Liangcheng · Siqing, Ma · Ruoting, Zhao · 王松灿 · Wei, Huang
Advanced Energy Materials 2024
表面铋空位诱导的应变使少数VO₄四面体畸变,提高了大多数正常VO₄四面体的反键态能量并创造更多电子空位态,显著促进电子-空穴分离。电荷分离效率接近100%意味着几乎所有光生载流子都到达表面参与反应。
在1.23 V vs RHE和AM 1.5 G光照下获得高光电流密度,优于普通BiVO₄光阳极,表明晶格应变策略大幅提升了水氧化性能。