掺铜氧化锡薄膜

双极性高迁移率

首次实现同一种金属氧化物半导体的p型和n型导电，无需分别沉积两种材料即可构建互补电路。

Hong, Ruohao · He, Penghui · Zhang, Sen · Hong, Xitong · Tian, Qianlei · 刘昌 · Su, Wanhan · 李国立 · Flandre, M. Denis · 刘兴强 · 吕亚威 · 廖蕾 · 邹旭明

Nano Letters 2024

具体参数

电子迁移率

43.8 cm² V⁻¹

空穴迁移率

2.4 cm² V⁻¹

技术优势

反相器增益302.4

弯曲稳定性与工作稳定性优异