PbS-CQD厚膜

直接X射线探测

用于CMOS直接转换X射线图像传感器的PbS-CQD厚膜，在累积60和320 kVp X射线照射下，暗电流仅略有增加，空间分辨率几乎不受影响。

张淳民 · Alexandre, Neyret · Goossens, Vincent M. · Quaglia, Riccardo · Goiffon, Vincent · Shulga, Artem G. · Rüedi, Pierre François

IEEE Transactions on Nuclear Science 2026

具体参数

PbS-CQD层厚度

{'zh': '120', 'en': '120'} μm

技术优势

空间分辨率几乎不变

累积X射线照射对PbS-CQD厚膜的空间分辨率影响可忽略，成像清晰度得以保持。

暗电流增加轻微

累积照射后暗电流仅略有增加，表明器件漏电水平基本稳定，有利于长期运行。

应用场景

• X射线成像：用作直接转换X射线探测层，可集成到CMOS图像传感器中。