g-C3N4封装铂基催化剂

活性选择性双高

g-C3N4作为闸门选择性透过小分子,在提高催化活性的同时避免活性位点流失,实现高活性与高选择性的兼顾。

Chong, Yao · Jinjin, Shan · Liu, Jie · Jie, Luo · Limei, Pan · Lyu, Jinghui · 丰枫 · 林丽利 · 卢春山 · Zheng, Ying · 王建国 · 王清涛 · 张群峰 · 李小年

Journal of Materials Chemistry A 2024

参数信息

选择性提升
29.6 %

技术优势

选择性提升近三成

g-C3N4表面对苯基羟胺中间体的吸附弱于Pt表面,促进其脱附,从而提高选择性。

活性不降反升

电子从Pt流向g-C3N4形成Pt-N键,增强g-C3N4的氢吸附能力,从而促进表面吸附的硝基苯加氢。

活性位点不流失

g-C3N4壳层只允许H2和H通过,阻止Pt和硝基苯等大分子,从而避免活性组分流失。

应用场景