多层氧阻挡相变存储层

氧化率直降六成

通过原位集成多层氧阻挡结构,将相变材料氧化程度从约70%压至约10%,同时提升结晶温度和循环能力,为高可靠性相变存储器制造扫除关键障碍。

Jingwei, Cai · Ke, Gao · Zhao, Ruizhe · Rongjiang, Zhu · 童浩 · 缪向水

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

参数信息

氧化程度
10 %

技术优势

氧化率压到10%

MOB结构将氧化程度从约70%显著降至约10%,大幅减轻器件性能退化。

结晶温度更高

MOB结构中的材料结晶温度显著提升,有利于扩大工作温度窗口、抑制非晶态过早结晶。

循环更耐久

MOB结构通过氧阻挡效应和抑制元素偏析,提高了材料在反复读写中的循环稳定性。

应用场景