ΔVₜₕ降八成
40 nm a-IGZO钝化层有效隔离背沟道与大气，将InSnO薄膜晶体管在正偏压应力下的阈值电压漂移降低80%，且不影响电学特性。
Huang, Tingrui · Jie, Cao · Yu, Zuoxu · Yuzhen, Zhang · Wenting, Xu · Yang, Guangan · Sun, Weifeng · Wu, Wangran
Applied Surface Science 2025
40 nm a-IGZO钝化层有效隔离背沟道与大气，抑制氧吸附导致的受主缺陷，从而大幅降低阈值电压漂移。
钝化层在降低ΔVth的同时不损害迁移率、亚阈值摆幅等电学参数。
a-IGZO层可通过溅射或原子层沉积在低温下制备，与现有大面积制造线兼容。