抗强磁霍尔电流传感器

强磁场下精度仍稳

针对霍尔芯片受外磁场干扰导致测量失效的问题,通过创新结构设计,使传感器在强磁环境中仍保持高测量精度。

Xingjian, Zhao · Jiang, Li · 高格 · Lei, Hong

IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 2025

技术优势

强磁下不失效

创新结构设计使传感器在强磁扰动下仍能稳定输出,避免因外部磁场导致的测量失效。

精度不再跳水

通过优化结构,传感器在强磁场背景下依然保持高测量精度,精度损失显著减小。

应用场景