硅声透镜

免RIE增透

采用优化的湿法刻蚀工艺制备,通过适度横向刻蚀替代反应离子刻蚀,在保证聚焦性能的同时简化制造流程并降低成本。

Jinming, Ti · 李俊红 · Yuhan, Ren · Fan, Qingqing · Wang, Chenghao

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2025

参数信息

横向分辨率
3.66 μm
焦深
12.74 μm
工作距离
91.66 μm
频率
320 MHz

技术优势

免去RIE工序

适度横向刻蚀即可延长工作距离,无需反应离子刻蚀,减少制造工序和设备投入。

成本降低

省去RIE步骤后,制造复杂度和成本同时下降。

辐射功率提升

该工艺在简化流程的同时还增加了换能器的辐射功率。

应用场景