漏电降六个数量级
采用无自组装单层区域选择性原子层沉积在SiO₂包覆钨凹槽内精准生长相变材料，突破传统架构的可扩展性瓶颈。
Rongjiang, Zhu · Ke, Gao · Ninghua, Li · Bin-Hao, Wang · Yun-Fei, Hu · 童浩 · 缪向水
Advanced Functional Materials 2026
受限结构将相变材料完全包裹在绝缘介质中，切断了相邻单元间的漏电路径，使单元间漏电流降低六个数量级。
区域选择性沉积突破了传统XPoint架构的堆叠瓶颈，理论堆叠层数超过300层，为超高密度存储提供可能。
器件在4×10⁶次循环后仍保持稳定电性能，满足高可靠性存储需求。