Al掺杂SnTe热电材料

平均ZT提升至1.15

通过Al掺杂增强价带顶态密度,结合Sb掺杂和AgBiTe2合金化,实现宽温域高平均热电优值。

唐国栋 · Yuqi, Liu · Yang, Xiaoyu · 张永胜 · Nan, Pengfei · Gong, Yaru · 葛炳辉 · Lin, Nan · 缪雪飞 · 宋坤 · Schön, Carl Friedrich · Cagnoni, Matteo · Kim, Dasol · Yu, Yuan · Wuttig, Matthias

Nature Communications 2024

具体参数

平均热电优值
{'zh': '1.15', 'en': '1.15'}
热电优值
{'zh': '0.36', 'en': '0.36'}

技术优势

掺杂规则清晰

最大化掺杂剂s轨道和Te p轨道的空间重叠并最小化能量差,即可增强价带顶态密度,本工作据此筛选出Al。

性能破纪录

在300–873 K取得平均ZT=1.15,刷新SnTe体系纪录;300 K下ZT=0.36,拓宽了中低温应用。

多策略协同

Al增强态密度、Sb调载流子、AgBiTe2合金化促能带收敛、位错散射声子,各机制协同提升ZT。

应用场景