高表面质量SiC微结构

粗糙度降至0.64 μm

这种碳化硅微结构通过PI胶带辅助分层加工获得，侧壁质量改善，表面粗糙度从5.19 μm显著降低至0.64 μm。

Limin, Wang · 贺海东 · Jiehao, Qiao · Ning, Xuezhong · 范立成 · Lining, Sun

Optics and Laser Technology 2026

参数信息

表面粗糙度

0.64 μm

锥角

80.14 °

技术优势

碎屑不沉积

PI胶带作为保护层，在加工中阻挡碎屑，避免其沉积在SiC表面。

粗糙度降一个数量级

双阶段加工策略用高功率快速去除材料，再用低功率原位抛光，表面粗糙度从5.19 μm降至0.64 μm。

侧壁更垂直

初始离焦+100 μm使锥角从77.46°提升至80.14°，侧壁质量提高。

应用场景

• 半导体加工设备：制造高精度SiC功能部件，避免碎屑污染和表面缺陷。
• 微柱阵列：在SiC陶瓷真空吸盘上加工微柱阵列，获得高表面质量。
• 精密激光加工：提供皮秒激光工艺参数，实现SiC微结构的精确高度控制和抛光。
• 陶瓷真空吸盘：制造带微柱阵列的SiC真空吸盘，提高表面质量。