超薄外延Bi2Te3膜

表面态主导输运

高质量外延Bi2Te3超薄膜通过优化厚度与Se掺杂抑制体态电导，显著增强拓扑表面态输运。

Jian, Gao · Xudong, Shi · Tingting, Li · Zhiyu, Wang · Li, Mingze · Gao, Xuan P.a. · 王振华 · 张志东

Journal of Materials Science 2025

参数信息

Se掺杂浓度

25–35 %

HLN方程拟合磁场范围

±7 T

技术优势

高温下电子-电子相互作用增强

较薄的Bi2Te3膜在高温区ρ-T曲线由负斜率转为正斜率，归因于增强的电子-电子相互作用。

弱反局域化效应明显

纯Bi2Te3超薄膜的磁阻从抛物线型转变为线性，并出现弱反局域化。

应用场景

• 拓扑绝缘体器件：提供表面态主导、体态抑制的薄膜，用于构建高性能拓扑绝缘体器件。
• 拓扑表面态输运：通过优化厚度和掺杂增强拓扑表面态输运，可用于机理研究和器件开发。
• 自旋电子学：拓扑表面态具有自旋-动量锁定，可用于自旋电子学器件。
• 低维量子材料：超薄外延薄膜是研究低维量子材料中电子-电子相互作用和弱反局域化的平台。