抗拉强达400 MPa
通过优化扫描间距控制孔隙偏析,获得兼具细晶与柱状晶混合组织的沉积件,强度显著提升。
Wang, An · Wei, Qianglong · Tang, Zijue · Oliveira, J. P. · Leung, Chu Lun Alex · Pengyuan, Ren · Zhang, Xiaolin · 吴一 · 王浩伟 · 王洪泽
Additive Manufacturing 2024
在1.6 mm扫描间距下,通过抑制孔隙偏析,获得了400±4 MPa的抗拉强度,并形成细等轴晶与柱状晶混合组织。
孔隙偏析总是出现在相邻熔道重叠区边界,且孔隙率约为熔池其他区域的8倍,多数孔隙尺寸小于10 μm。
EBSD结果表明双道晶粒取向接近<101>方向,重叠区沿建造方向呈现细等轴晶与柱状晶混合特征。