SiC粗糙度降至1.4 nm
用电化学氧化+剪切增稠抛光协同，可在30分钟内将单晶SiC表面粗糙度从20.5 nm降至1.4 nm，且不引入亚表面损伤。
Mengmeng, Shen · Lingwei, Wu · Min, Wei · 陈泓谕 · 袁巨龙 · Lyu, Binghai · 邓辉 · To, S. · Beri, Tufa Habtamu · 杭偉
Journal of Manufacturing Processes 2024
电化学氧化生成的SiO2硬度显著降低，使材料去除率达到255.5 nm/min，远超传统剪切增稠抛光。
透射电镜证实抛光过程中去除了亚表面损伤，实现了高效无损加工。
通过法拉第电磁定律确定6 V电压可平衡氧化物生长与去除速率，实现稳定抛光。