SiC抛光介质

减损提率

经化学作用后的SiC表面硬度下降,亚表面损伤深度降低,材料去除效率提高。

Li, Xue · Wu, Pengfei · Zhu, Nannan · 左敦稳 · 朱永伟

Precision Engineering 2024

技术优势

粗糙度和损伤同时降低

化学作用后SiC表面硬度与Si–C键能下降,使相同切削速度下表面粗糙度和亚表面损伤深度降低。

去除效率提升

化学作用后去除原子数增加,即材料去除率提高,同时表面质量改善。

应用场景