BaSnO₃忆阻器

模拟/数字切换

通过调节BaSnO₃有源层厚度,实现模拟型和数字型电阻开关行为在同一器件中的可逆转换。

Zhenghao, Duan · Ping, Sun · Ma, Shenhui · 补钰煜 · 74227950

Chemical Engineering Journal 2025

参数信息

循环稳定性
>10³
开关电流比
10²

技术优势

模拟数字一体

通过改变BSO层厚度即可在模拟与数字模式间切换,无需更换器件结构。

循环超千次

模拟型器件表现出超过10³次的稳定循环,适合突触权重持续更新。

开关比达百

数字型器件的开关电流比约为10²,提供清晰的存储窗口。

应用场景