Sm掺杂PMN-PT单晶

压电光电两全

通过稀土掺杂诱导极性纳米畴结构，突破压电与光学透明性的此消彼长，实现高透光下兼具超高压电与电光系数。

Xiao, Ruoyu · 宋克鑫 · 陈文洁 · Zhao, Xing · 郭海生 · 李飞 · 徐卓

ACS Applied Materials & Interfaces 2026

参数信息

压电系数 d33

3500 pC/N

电光系数 γc

700 pm/V

压电系数 d33

1600 pC/N

技术优势

破对立

Sm³⁺掺杂诱导晶格收缩并促进极性纳米区域（PNR）形成，产生多相纳米畴结构，实现低压电旋转和畴壁钉扎最小化，从而同时获得高压电系数和高透光率。

找到最佳极化方向

[110]晶向极化被确定为平衡增强压电响应与优异光学清晰度的最佳配置，使器件设计有了明确择优。

应用场景

• 高灵敏度传感器：超高d33提升机电转换灵敏度，用于微弱信号探测。
• 电光调制器：高γc与高透光率结合，实现低损耗高速光调制。
• 压电驱动器：超高压电系数提供大位移输出，适合精密驱动。
• 光通信器件：透明压电晶体可用于集成光调制与频率转换器件。