零偏移场
通过停止在MgO层的刻蚀工艺，该器件在保留自由层磁性的同时，将偏移场降至近零，并显著改善了TMR、热稳定性和开关电流的均匀性。
Zhao, Lei · 杨美音 · Gao, Jianfeng · Yang, Tengzhi · 崔岩 · 许静 · 李峻峰 · Xiang, Qingyi · Li, Wenjing · Luo, Feilong · Ye, Li · 罗军
IEEE Electron Device Letters 2023
由于刻蚀停止在MgO层，去除了硬掩模、SAF和参考层，偏移场接近0，降低了开关电流的不对称性。
该工艺降低了临界开关电流密度，从而减少写入能耗。
热稳定性因子提高，意味着数据保持时间更长。