氧化镓沟槽肖特基二极管

漏电降三个数量级

沟槽肖特基势垒夹断低势垒接触区并结合复合台面结终端，同时抑制体泄漏和边缘泄漏，击穿电压提升至1466 V。

Zhao, Han · Hao, Weibing · Qiuyan, Li · Junpeng, Wen · Lequan, Wang · Xuanze, Zhou · 徐光伟 · 杨树 · 77139864

IEEE Electron Device Letters 2025

具体参数

击穿电压从

{'zh': '458', 'en': ''} V

开启电压保持

{'zh': '0.71', 'en': ''} V

技术优势

漏电流降低超过三个数量级