(111)取向纳米孪晶铜

275 °C 实现无界面键合

通过表面淬火处理，使纳米孪晶铜在275 °C下实现跨界面晶粒生长，从而消除铜-铜键合界面。

Lu, Yen Feng · Yu, Yen Ting · Cheng, Yen Fu · Wang, Pei · Wu, Yewchung Sermon

Materials 2024

参数信息

键合温度

275 °C

技术优势

低温键合

在275 °C下实现晶粒跨界面生长，无需高温即可消除界面。

唤醒应变能

淬火处理在铜薄膜中引入应变能，形成褶皱表面形貌，作为晶粒异常生长的驱动力。

应用场景

• 三维封装：在较低温度下实现无界面铜-铜互连，提高堆叠密度。
• 先进封装：满足先进封装对低温、高可靠互连的需求。
• 高密度互连：消除键合界面，实现更高密度的铜互连。