H2O源Al2O3栅介质

界面缺陷锐减

采用H2O作为氧源的ALD Al2O3栅介质，通过调控界面化学抑制了氧空位与界面陷阱，让p型SnO TFT同时实现高迁移率与超稳偏压特性。

Peng, Dai · Jialong, Song · Chaoran, Dong · Zening, Gao · Junming, Zhang · 王一鸣 · 张嘉炜 · 李玉香 · 辛倩 · 宋爱民

Applied Surface Science 2026

具体参数

亚阈值摆幅
{'zh': '0.24', 'en': '0.24'} V/dec
开关电流比
{'zh': '10^6', 'en': '10^6'}
阈值电压漂移
{'zh': '-0.52', 'en': '-0.52'} V

技术优势

界面陷阱少

H2O源Al2O3表面化学减少氧空位和界面/近界面陷阱，迁移率更高、亚阈值摆幅更陡。

偏压更稳定

10000 s应力后阈值电压漂移仅−0.52 V，远好于常规p型氧化物TFT。

微观结构更佳

H2O源表面促进SnO形成有利的微观结构，避免了O3源样品中的垂直晶界。

应用场景