非晶FeTe相变层

可逆相变忆阻

在环境条件下剥离的超薄FeTe表面形成非晶层，可通过激光或加热可逆恢复为晶态，为相变存储和神经形态器件提供可集成于范德华异质结构的材料路径。

Xiong, Feng · 孙林锋 · Chen, Haitao · Liu Xinfeng · Xu, Wei · 张检发 · 朱志宏

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

技术优势

FeTe薄片器件在约400 K时电导下降，证实相变

非晶表面表现出忆阻器行为，证明相变可逆