超薄IZO埋层a-IGZO功率晶体管

电流提升4倍

通过a-IZO埋层形成亚导电沟道，在保持高击穿电压的同时显著降低导通电阻，突破传统a-IGZO功率器件的电流-电压折衷。

黄晨阳 · 黄晓明 · Yao, Jiafei · 张珺 · Li, Man · 刘建华 · Zhang, Maolin · Xianda, Zhou · Guo, Yufeng

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

输出电流提升倍数

4

技术优势

电流提升4倍

超薄a-IZO埋层在a-IZO/a-IGZO界面形成亚导电沟道，大幅提升器件导通电流能力，从而显著降低导通损耗。

应用场景

• 功率开关器件：低导通电阻和高击穿电压使其可直接用作高压开关，提升功率转换效率。
• 柔性高压电子：非晶氧化物半导体与超薄埋层工艺兼容柔性衬底，可用于柔性高压电路。