单晶分子铁电薄膜

亚厘米级超平整

一种体积受限方法制备的单晶分子铁电薄膜,厚度100-1000 nm可控,适用于大多数分子铁电体且不依赖衬底,为与二维材料集成提供了可能。

Cao, Xiang · 周杰 · Yu, Xiong · Du, Guo Wei · Feng, Jie · Pan, Qiang · Chen, Yin · Ji, Hao Ran · 倪振华 · Junpeng, Lu · Haihui, Hu · 游雨蒙

Advanced Science 2023

参数信息

薄膜厚度
100-1000 nm

技术优势

不挑衬底

制备方法对大多数分子铁电体适用,且不依赖衬底,具有优异的可重复性和普适性。

厚度精确可控

薄膜厚度可在100至1000纳米范围内控制,满足不同器件对厚度的要求。

可规模制备

实现了亚厘米尺度的单晶薄膜,为大规模应用提供可能。

与二维材料兼容

成功制备了分子铁电体与二维过渡金属硫族化合物半导体的异质结构,证明了集成的可行性。

应用场景