单层BCN半导体

p型二维新秀

一种晶圆级单层p型二维半导体，解决了二维CMOS中长期缺乏高性能p型材料的问题。

Chien-Chih, Tseng · Huang, Po Hsun · Kao, Cheng Yen · Fu, Juihan · Ishikawa, Ryo · Seong-Kun, Cho · Kai, Qi · Po-Yu-Yang · Cheng-Tang, Pan · Chen, Weichun · Wu, Mingchung · Lin, You Wei · Lo, Yu Chieh · Ho, Ya Lun · Nagashio, Kosuke · Chou, Yichia · Shibata, Naoya · Pao, Chun-Wei · Tung, Vincent

Nature 2026

参数信息

场效应空穴迁移率
100 cm² V⁻¹ s⁻¹
开关比
10⁸
阈值电压
-0.45 V
带隙
1.90 eV

技术优势

晶圆级均匀

通过调控MMAB与AB的脱氢及表面反应路径，克服了B、C、N原子供给的时空失配，实现了连续结晶、局部畸变的氮化硼晶格，可扩展至晶圆尺度。

迁移率破百

p型BCN场效应晶体管的空穴迁移率达到100 cm² V⁻¹ s⁻¹，超过现有最先进的p型二维半导体。

开关比够高

开关比达到10⁸，满足逻辑器件对低泄漏电流的要求。

能隙合适

带隙1.90 eV，可用于低功耗逻辑应用。

应用场景