富硅相Ti3SiC2圆盘

耐空蚀性能可调

通过热压或放电等离子烧结调控富硅相形貌，从而改善Ti3SiC2在空蚀初期的抗损伤能力。

Lü, Jinjun

Materials Letters 2026

参数信息

的空蚀速率

0.99 mg·cm⁻²·h⁻¹

的空蚀速率

0.29 mg·cm⁻²·h⁻¹

技术优势

抛光HP-Ti3SiC2的空蚀孕育期为10 min

抛光SPS-Ti3SiC2的空蚀孕育期为6 min