GaN MMIC 功率放大器

高漏偏置下降解显著

高漏偏置导通态下，电学性能退化和电路烧毁的机理被系统揭示，为 GaN MMIC 功率放大器的可靠性优化提供依据。

Hao, Zhang · 郑雪峰 · Danmei, Lin · Hong, Yue Hua · Zhou, Jiuding · 吕玲 · 曹艳荣 · Han, Hongbo · Zhang, Weidong · Zhang, J. F. · 马晓华 · 74227950

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

具体参数

漏极偏压从

{'zh': '30', 'en': ''} V

漏极偏压从

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