剥离力降66%
通过超声空化与选择性化学刻蚀协同，大幅降低激光改性4H-SiC晶片的剥离力，实现6英寸晶片的快速完整剥离。
Hongmei, Li · Hongwei, Wang · Yuxin, Li · Wenyang, Cen · Liqun, Wang · Li, Lin · 闫胤洲 · Pan, Kewen · Wei, Guo
Journal of Materials Processing Technology 2026
超声空化物理驱动微裂纹扩展，KOH选择性刻蚀削弱改性层与衬底的界面键合，协同作用将剥离力从79 N左右降至26.85 N。
双改性结构引入互联点，主动控制裂纹路径实现完全互联，使剥离力进一步降至19.85 N，并在约3分钟内完成6英寸晶圆完整剥离。
选择性化学刻蚀针对激光诱生的非晶相和3C-SiC改性层，削弱其与4H-SiC衬底的强界面结合，从而降低剥离所需力。