平面四配位硅化合物

新型低配位硅物种

首次实现二价硅的平面四配位结构，其孤对电子几乎完全占据3pz轨道，展现出不同于已知四配位硅烯的反应性。

Shan, Changkai · Dong, Shicheng · Yao, Shenglai · 朱军 · Drieß, Matthias

Journal of the American Chemical Society 2023

具体参数

孤对电子几乎完全占据

3 pz

技术优势

首次合成含平面四配位硅(II)的化合物

可与MeI氧化加成生成五配位Si(IV)化合物