GaAs高带外抑制功放
带外抑制65dBc
采用阻抗转换与带通匹配结合陷阱电路，在8–12GHz内实现平坦增益，同时大幅压低带外信号，适合用于对频谱纯度要求高的宽带系统。
Shengqi, Li · 苏国东 · 王翔 · 刘俊
Microelectronics Journal 2024
参数信息
- 带内小信号增益
- 23 dB
- 输入回波损耗
- -14 dB
- 输出回波损耗
- -14 dB
- 饱和输出功率
- 23 dBm
- 功率附加效率
- 20 %
- 带外抑制比
- 65 dBc
- 带外抑制比
- 51 dBc
- 芯片面积
- 2.3 x 1.1 mm²
技术优势
增益平坦
带内增益波动仅±0.7 dB，保证8–12 GHz内各频点输出功率一致。
带外抑制强
在3 GHz和17 GHz处抑制比分别达到65 dBc和51 dBc，有效降低邻道干扰。
面积小
芯片面积仅2.3 mm×1.1 mm，便于集成到紧凑型系统中。
应用场景
- 宽带雷达：覆盖X波段，高带外抑制可减少雷达收发机中的滤波器需求。
- 电子战系统：宽带放大与高抑制比适合用于频谱拥挤环境下的干扰机。
- 卫星通信终端：高增益和高效率可用于卫星上行链路功放，降低整机功耗。
- 宽带功率放大模块：无需外部匹配网络，简化模块设计并缩小体积。