双量子阱增益芯片

脉宽缩短近半

相较于单量子阱增益芯片，双量子阱结构削弱窄带滤波并降低群延迟色散，使锁模脉宽缩短46%，同时提升热特性和波长调谐范围。

Zhenglu, Chen · Tao, Wang · 朱仁江 · Jiang, Lidan · Jiang, Maohua · Meng Bo · Fanghong, Zhang · 张鹏

Optics and Laser Technology 2026

具体参数

脉冲宽度缩短比例

{'zh': '46', 'en': '46'} %

发射波长红移速率降低比例

{'zh': '33', 'en': '33'} %

波长调谐范围扩展比例

{'zh': '26', 'en': '26'} %

技术优势

脉宽缩短近半

双量子阱结构削弱窄带滤波并降低群延迟色散，使SESAM锁模脉宽比单量子阱缩短46%，有利于产生更短脉冲。

波长漂移更小

双量子阱增益芯片的发射波长随温度升高的红移速率比单量子阱降低33%，热稳定性更好。

调谐范围更宽

连续波双量子阱半导体盘形激光器的波长调谐范围比单量子阱扩展26%，增加了激光器的适用性。

应用场景

• 超快激光器：更短脉宽提升超快激光器的性能，适用于高时间分辨应用。
• 激光频率梳：更宽调谐范围和稳定波长有助于产生更宽光谱的频率梳。
• 精密光学测量：稳定的波长和更短脉冲提高精密测量的精度。
• 脉冲激光加工：更短脉宽和更高峰值功率适合精密材料加工。