研磨损伤可控
首次从原子尺度揭示单晶硅超精密研磨中位错滑移的临界应力条件，使位错深度得以在加工前预测。
Li, Ming · 郭晓光 · Huang, Ning · Yanyu, Yang · 康仁科 · 郭东明 · 周平
Materials Science in Semiconductor Processing 2024
确定了(1 1‾ 1)面上±1/2[110]位错的Peierls应力为2 GPa，可作为位错萌生的判据。
基于剪切应力分析建立了位错深度预测模型，预测结果与纳米划痕实验和TEM观测吻合。
通过计算Schmid因子确定了活性滑移系，为理解位错运动机制奠定基础。