低插损高屏蔽
利用双谐振电路拓扑实现低插入损耗与高屏蔽效能，为高场强辐射防护提供高效解决方案。
Honglin, Zhang · Zhang, Jihong · 查淞 · Jiang, Huan · Tao, Zhou · Liu, Chenxi · 刘培国
Electronics (Switzerland) 2025
双谐振电路拓扑使断态插入损耗小于3 dB、通态屏蔽效能超过20 dB，兼顾正常工作与强场防护。
结构支持双极化工作，可应对不同极化方向的入射波，扩展防护场景。
采用等效电路模型进行设计，结构由谐振环、二极管和集总电容组成，易于实现和低成本制造。