产氢速率58.4微摩尔/时
通过钯掺杂和硫空位协同调控，光生电子沿Pd-S键快速转移，大幅提升光催化产氢效率。
Zhang, Ruyu · 刘宪春 · 王聪 · 于晓丹 · 邢艳
Journal of Colloid and Interface Science 2024
硫空位富集的光生电子可沿Pd-S键快速迁移到相邻Pd原子，有效抑制电荷复合。
双缺陷In₂S₃的光催化产氢速率达58.4 ± 2.0 μmol·h⁻¹。
采用一锅法即可同时引入Pd掺杂和丰富硫空位，工艺简便。
该策略已进一步拓展至ZnIn₂S₄等其他三元金属硫化物。