钐掺杂PMN-PT陶瓷

超高电致应变低滞后

通过Sm掺杂诱导驰豫相，室温下压电系数达2376 pm/V且滞后极小，解决了铁电陶瓷高应变与低滞后难以兼得的矛盾。

Huang, Yunyao · Zhang, Leiyang · Wenjing, Shi · 胡庆元 · Shur, V. Y. · 魏晓勇 · 靳立

Journal of Materials Science and Technology 2023

具体参数

大信号等效压电系数 d33*

{'zh': '2376', 'en': '2376'} pm/V

技术优势

应变与滞后兼得

2.5 mol.% Sm掺杂诱导极性纳米微区，室温下同时实现大电致应变和极小滞后，突破传统铁电陶瓷的固有矛盾。

室温可用

Sm3+离子有效降低Tm，使弛豫铁电特性和高电致应变在室温附近即可呈现，无需高温工作条件。

成熟工艺可量产

采用传统固相法制备，工艺成熟，易于放大生产，适合工业应用。

应用场景

• 精密驱动器：超高电致应变和极低滞后实现纳米级精确定位驱动。