高灵敏ITO薄膜应变传感器

灵敏度提升超一个数量级

通过膜厚调控晶体相变与载流子浓度，在高温下实现灵敏度跨越式提升，同时具备优异的压阻稳定性。

Liu, Zhichun · Zhixuan, Su · Yue, Chen · 王海刚 · 海振银 · Yemin, Wang · Zhang, Chengfei · Wang, Zhangquan · Hongwei, Ji · 薛晨阳 · Gao, Libo · 梁军生

Chemical Engineering Journal 2025

具体参数

灵敏度
{'zh': '27.77', 'en': '27.77'}
载流子浓度增量
{'zh': '197', 'en': '197'} %
最优膜厚
{'zh': '8.9', 'en': '8.9'} μm
最高测试温度
{'zh': '1200', 'en': '1200'} °C

技术优势

灵敏度翻一个数量级

通过调控薄膜厚度诱导晶体相变和载流子浓度提升，使高温灵敏度提高超过一个数量级。

1200 °C仍稳定

最优厚度8.9 μm的ITO传感器在1200 °C高温下展现出优异的压阻稳定性。

载流子浓度提升近两倍

晶体相变导致氧空位和Sn⁴⁺浓度增加，使载流子浓度提升197%，为高灵敏度提供物理基础。

应用场景