双异质结GaN HEMT

高功率微波下更耐损伤

双异质结结构相比单异质结具有更高的击穿电压和抗高功率微波损伤能力,器件温度分布更均匀,漏电流更低,适用于高频高压环境。

马振洋 · Dexu, Liu · Shun, Yuan · 段照斌 · 吴志军

Aerospace 2024

技术优势

中等Al组分增加可有效提高击穿电压

漏电流降低

开关特性改善

双异质结器件对HPM功率损伤影响小,抗损伤能力高

比同代SiC器件具有更高抗辐射能力