Janus AsSeCl单层

ZT值达1.55

具有优异热电性能的间接带隙半导体单层材料，带隙2.10 eV，700 K下ZT值1.55。

罗鑫 · Pan, Lu · 张田 · 胡翠 · 程妍 · Geng, Hua Y.

Materials Science in Semiconductor Processing 2023

具体参数

带隙

2.10 eV

热导率

1.87 Wm⁻¹K⁻¹

技术优势

700 K下ZT值1.55