大面积纳米结构光栅

300×300 mm均匀5.3%

通过离子源温控与频域误差抑制实现大面积均匀刻蚀，解决扫描刻蚀周期误差难题。

周刚 · 石峰 · Bo, Wang · 田野 · Zheng, Zhongming · Qiao, Shuo · 75776740 · Shuangpeng, Guo · 铁贵鹏

Journal of Manufacturing Processes 2025

参数信息

离子源温度降幅

76.6 °C

均匀性

5.3 %

扫描刻蚀线间距

2.85 mm

进给频率

0.35 Hz

刻蚀面积

300×300 mm²

技术优势

温度降76 °C

水冷结构使离子源温度从130.7 °C降至54.1 °C，避免热辐射引起刻蚀效率波动。

频域选参

基于PSD频谱分析选择0.35 Hz进给频率，对应2.85 mm线间距，使误差幅度最小。

应用场景

• 大面积光栅制造：300×300 mm均匀刻蚀能力，直接用于大面积衍射光栅制造。
• 衍射光学元件：低周期误差保证光栅槽形一致性，提高衍射光学元件性能。
• 精密光学表面加工：频域误差控制实现纳米级深度均匀性，满足精密光学表面加工要求。
• 晶圆级纳米制造：RIBE工艺扩展至300 mm级，为晶圆尺度纳米结构制造提供均匀刻蚀方案。