低氧单晶硅

氧含量降24.6%

通过缩短主加热器并增设第二加热器，在直拉单晶硅中同时扩大熔体低温区、削弱坩埚侧壁对流，从而显著抑制氧沉淀，为高效太阳能电池提供更低氧含量的衬底。

Xiaochen, Duan · Huang, Xuguang · 王玉龙 · Chai, Chen · Han, Qinghui · Ma, Haotian · Bai, Guijie

Journal of Crystal Growth 2025

参数信息

氧含量（模拟值）
5.85 ×10^17 atoms/cm³
氧含量（加第二加热器）
5.34 ×10^17 atoms/cm³
氧含量降低幅度（生产数据）
24.6 %

技术优势

氧含量降幅大

生产数据表明，缩短主加热器并增设第二加热器可降低氧含量 24.6%，显著减少氧沉淀。

熔体对流减弱

缩短主加热器可扩大熔体低温区，削弱沿坩埚侧壁的对流，从而减少氧传输。

无需额外工艺

通过热场结构优化即可降低氧含量，无需对设备进行其他改造或引入额外除氧步骤。

应用场景