余辉超100小时
通过Mn2+共掺杂引入空穴-电子缺陷对陷阱结构,实现了远超商用SrAl2O4:Eu,Dy的电荷存储容量与余辉效率。
Chaoyang, Jia · 高当 · Zhigang, Wang · 张翔宇 · 云斯宁 · Jin Z., Zhang · Wang, Xiaojun
Materials Today Chemistry 2024
余辉时间超过100小时
可由太阳光、LED、手机和电脑屏幕等多种光源快速充电