低温伸长率增92%
晶界在低温下对位错运动有更强阻碍，同时抑制孔洞形核，使材料在保持强度的同时大幅提升均匀伸长率，无需依赖孪晶即可获得优异低温塑性。
Yang, Heng · 李恒 · Sun, Hong · 王海鹏 · Fu, M. W.
International Journal of Plasticity 2024
低温下晶界对位错传输的屏障效应增强，使几何必需位错（GND）堆积分布更均匀，避免了局部应力集中，从而延迟颈缩。
低温降低了晶界处过剩势能的积累速率，同时提高孔洞形核所需能量，使材料在更高应变下才发生孔洞萌生。
均匀塑性变形主要由棱柱滑移完成，即使在低温下也如此；无需依赖孪晶即可实现优异低温塑性。